| 标题 |
Effects of annealing on the interfacial properties and energy-band alignment of AlN dielectric on 4H–SiC |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Zhanwei Shen; Feng Zhang; Jun Chen; Zhao Fu; Xingfang Liu; et al 出版日期:2020-09-08 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人或该文件上传人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)