Improved Gate Reliability Normally-Off p-GaN/AlN/AlGaN/GaN HEMT With AlGaN Cap-Layer

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标题	Improved Gate Reliability Normally-Off p-GaN/AlN/AlGaN/GaN HEMT With AlGaN Cap-Layer
网址	https://doi.org/10.1109/led.2021.3109054
DOI	10.1109/led.2021.3109054 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Chia‐Hao Liu; Hsien‐Chin Chiu; Hsiang-Chun Wang; Hsuan‐Ling Kao; Chong-Rong Huang 出版日期：2021-09-10
求助人	zlren 在 2026-10-15 14:53:52 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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