Advancements in ohmic contact technology for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

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标题	Advancements in ohmic contact technology for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
网址	https://doi.org/10.1016/j.pquantelec.2025.100578
DOI	10.1016/j.pquantelec.2025.100578 doi
其它	期刊：Progress in Quantum Electronics 作者：Ho‐Young Kim; Ray‐Hua Horng; Hiroshi Amano; Tae‐Yeon Seong 出版日期：2025-06-10
求助人	lebronkd 在 2026-09-16 21:58:28 发布自美国，悬赏 10 积分
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