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Investigation of drain current injection-induced degradation and mechanisms in Schottky gate AlGaN/GaN HEMTs |
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期刊:Journal of Physics D: Applied Physics 作者:Yanghu Peng; Hui Guo; Huaize Liu; Ruiling Gong; Zhaoxuan Fang; et al 出版日期:2025-09-19 |
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