Impurity Gettering in Polycrystalline‐Silicon Based Passivating Contacts—The Role of Oxide Stoichiometry and Pinholes

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标题	Impurity Gettering in Polycrystalline‐Silicon Based Passivating Contacts—The Role of Oxide Stoichiometry and Pinholes
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/aenm.2021037...
DOI	10.1002/aenm.202103773 doi
其它	期刊：Advanced Energy Materials 作者：Zhongshu Yang; J. Krügener; F. Feldmann; J. Polzin; B. Steinhauser; et al 出版日期：2022-05-01
求助人	ZEM 在 2026-08-11 13:25:47 发布自中国，悬赏 10 积分
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