Vertical GaN-on-Si MOSFETs With Monolithically Integrated Freewheeling Schottky Barrier Diodes

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标题	Vertical GaN-on-Si MOSFETs With Monolithically Integrated Freewheeling Schottky Barrier Diodes
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/55/8398557/08370664.pdf?...
DOI	10.1109/led.2018.2841959 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Chao Liu; Riyaz Abdul Khadar; Elison Matioli 出版日期：2018-06-02
求助人	背后的映寒在 2026-08-31 10:10:53 发布自湖北，悬赏 10 积分
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