Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess

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标题	Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2015.2510630
DOI	10.1109/ted.2015.2510630 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yijun Shi; Sen Huang; Qilong Bao; Xinhua Wang; Ke Wei; et al 出版日期：2016-02-01
求助人	zlren 在 2026-09-11 13:30:36 发布自美国，悬赏 10 积分
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