Tunable resistive switching in Nb 2 O 5 memristors via Ti buffer layer-induced oxygen vacancy concentration modulation

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标题	Tunable resistive switching in Nb 2 O 5 memristors via Ti buffer layer-induced oxygen vacancy concentration modulation
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/ae6669
DOI	10.1088/1361-6463/ae6669 doi
其它	期刊：Journal of Physics D: Applied Physics 作者：Siheng Wu; Gengrui Zeng; Zhihu Dong; Jiacheng Guo; Zujun Guo; et al 出版日期：2026-04-30
求助人	CQ 在 2026-05-16 16:11:19 发布自湖北，悬赏 10 积分
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