Demonstration of Lightly Doped Gradient Field-Stop Layer for Improved Soft Reverse Recovery in 1200 V SiC MOSFET

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标题	Demonstration of Lightly Doped Gradient Field-Stop Layer for Improved Soft Reverse Recovery in 1200 V SiC MOSFET
网址	https://doi.org/10.1109/TED.2026.3683666
DOI	10.1109/TED.2026.3683666 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yao Yao; Wei Liu; Zhong Lan; Qiming He; Jianming Lin; et al 出版日期：2026
求助人	ZR 在 2026-05-22 17:09:01 发布自广东，悬赏 10 积分
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