Sub-Nanosecond Switching of Si:HfO2 Ferroelectric Field-Effect Transistor

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标题	Sub-Nanosecond Switching of Si:HfO2 Ferroelectric Field-Effect Transistor Si：HfO2铁电场效应晶体管的亚纳秒开关相关领域材料科学切换时间铁电性光电子学晶体管极化（电化学）纳秒神经形态工程学非易失性存储器场效应晶体管纳米技术电压电气工程计算机科学物理化学光学电介质工程类激光器物理化学机器学习人工神经网络
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c04706
DOI	10.1021/acs.nanolett.2c04706 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Mor Mordechai Dahan; Halid Mulaosmanovic; Or Levit; Stefan Dünkel; Sven Beyer; et al 出版日期：2023-02-10
求助人	qq 在 2025-05-22 10:54:03 发布自广西，悬赏 10 积分
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