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 Observation of Intrinsic and LED Light-Enhanced Memristor Performance in In-Plane Ferroelectric NbOI2 面内铁电NbOI2中本征和LED光增强忆阻器性能的观察
相关领域
记忆电阻器
铁电性
压电响应力显微镜
纳米电子学
材料科学
极化（电化学）
光电子学
电场
纳米技术
物理
量子力学
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物理化学
化学
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期刊：ACS Nano 作者：Zheng Hao; Gaolei Zhao; Juhe Liu; Yunhao Tong; Haoran Li; et al 出版日期：2025-07-26 |
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