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Charge Mobility and Strain Engineering in Two-Step MS-Grown MoS2/Seed Layer Heterointerface and Photo-Excitation Mechanism
两步MS生长MoS2/种子层异质界面的电荷迁移率和应变工程及光激发机制
相关领域
材料科学 异质结 X射线光电子能谱 兴奋剂 应变工程 光电子学 自旋电子学 拉曼光谱 光致发光 激子 极化（电化学） 电子迁移率 凝聚态物理 纳米技术 化学物理 铁磁性 光学 核磁共振 化学 物理化学 物理 硅
网址
https://doi.org/10.1021/acsami.3c00706
DOI
10.1021/acsami.3c00706 doi
其它 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
作者：Ze-Miao Wang; Cheng‐Bao Yao; Liyuan Wang; Xue Wang; Cai-Hong Jiang; et al
出版日期：2023-03-28
求助人
阿拉王 在 2025-09-08 20:30:06 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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