| 标题 |
 Suppressing the hot carrier injection degradation rate in total ionizing dose effect hardened nMOSFETs 相关领域
材料科学
降级（电信）
CMOS芯片
光电子学
MOSFET
吸收剂量
电子工程
电气工程
工程类
晶体管
辐射
光学
物理
电压
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| 其它 |
期刊：Chinese Physics B 作者：Jianjun Chen; S. H. Chen; Bin Liang; Yibai He; Yaqing Chi; et al 出版日期：2011-11-01 |
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