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 Doping engineering of monolayer MSe (M = Ga, In) by high-throughput first-principles calculations 单层MSe（M=Ga，In）的高通量第一性原理掺杂工程
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期刊：Computational Materials Science 作者：Zhineng Zhang; Yu Zhou; Puqin Zhao; Jun Zhu; Yingchun Cheng 出版日期：2023-11-03 |
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