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Etch selectivity during plasma-assisted etching of SiO2 and SiNx: Transitioning from reactive ion etching to atomic layer etching
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网址
https://doi.org/10.1116/6.0000395
DOI
10.1116/6.0000395 doi
其它 期刊：Journal of vacuum science & technology
作者：Ryan J. Gasvoda; Zhonghao Zhang; Scott Wang; Eric A. Hudson; Sumit Agarwal
出版日期：2020-08-04
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辛勤的念云 在 2025-10-05 18:31:16 发布自湖南，悬赏 10 积分
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