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 On the Formation of Silicide Films of Metals (Li, Cs, Rb, and Ba) During Ion Implantation in Si and Subsequent Thermal Annealing 在硅中离子注入和随后的热退火过程中金属（Li、Cs、Rb和Ba）硅化物膜的形成
相关领域
离子注入
硅化物
材料科学
硅
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期刊：Journal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques 作者：А.С. Рысбаев; M. T. Normurodov; J. B. Khujaniyozov; A. A. Rysbaev; D. A. Normurodov 出版日期：2021-05-01 |
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