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 GaN-on-Si HEMT Technology for mm-Wave Mobile T/R Modules Demonstrating Concurrent High Efficiency (>60%) and Low Noise (<1.2 dB) 相关领域
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yihao Zhuang; Siyu Liu; Pengju Cui; Viet Cuong Nguyen; Qingyun Xie; et al 出版日期：2026-01-23 |
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