| 标题 |
 Thermal Annealing Restricts the Rotation Domains of Epitaxial β‑Ga2O3 Thin Films on Off-Angle Sapphire Substrates, Enabling Ultrahigh-Sensitivity Solar-Blind Deep UV Photodetector |
| 备注 |
正文和SI
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| DOI | |
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(2025-6-4)
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