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 High-Gain InAlGaAs Quaternary Quantum Wells for High-Power 760 nm Two-Junction VCSELs 相关领域
材料科学
量子阱
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期刊：IEEE Journal of Quantum Electronics 作者：Yan Li; Z. Yun; Zhiting Tang; Chuanlin Li; Jilin Liu; et al 出版日期：2023-06-28 |
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