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 Enhancing the photoelectrical performance of graphene/4H-SiC/graphene detector by tuning a Schottky barrier by bias 相关领域
石墨烯
材料科学
响应度
肖特基势垒
光电子学
异质结
光电探测器
兴奋剂
石墨烯纳米带
电子迁移率
偏压
肖特基二极管
费米能级
纳米技术
电子
电压
物理
二极管
量子力学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Cunzhi Sun; Xiufang Chen; Rongdun Hong; Xiaomeng Li; Xiangang Xu; et al 出版日期：2020-08-18 |
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