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Over 2.5 GW/cm 2 Vertical β-Ga 2 O 3 Schottky Barrier Diode with High-k Field Plate and Multi-Zone Gradient Rings Assisted JTE |
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期刊:2026 IEEE 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者:Lequan Wang; Jinyang Liu; Song He; Junpeng Wen; Qiuyan Li; et al 出版日期:2026-05-24 |
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(2025-6-4)