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  Bandgap engineering and enhanced optical properties of Hf3X2O2 (X = N, P, As) novel 2D MXene structures using first-principles study 利用第一性原理研究Hf3X2O2(X=N，P，As）新型二维MXene结构的带隙工程和增强光学性质
相关领域
带隙
材料科学
宽禁带半导体
光电子学
纳米技术
工程物理
物理
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| 其它 |
期刊：AIP Advances 作者：S. M. Mahbubur Rahman; Md. Sakib Hasan Khan; Md. Rafiqul Islam 出版日期：2024-04-01 |
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