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p-GaN gate power HEMT heterostructure as a versatile platform for extremely wide-temperature-range (X-WTR) applications p-GaN栅极功率HEMT异质结构作为超宽温度范围(X-WTR)应用的多功能平台
相关领域
光电子学
高电子迁移率晶体管
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Yat Hon Ng; Zheyang Zheng; Li Zhang; Ruizi Liu; Tao Chen; et al 出版日期:2024-01-22 |
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