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 3D X-DRAM: A Novel 3D NAND-like DRAM Cell and TCAD Simulations 相关领域
德拉姆
与非门
延迟时间
计算机科学
动态随机存取存储器
通用存储器
数据保留
嵌入式系统
电气工程
逻辑门
电子工程
计算机硬件
半导体存储器
工程类
内存控制器
内存管理
交错存储器
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期刊： 作者：F. T. Hsu; Richard J. Huang; R.J. Tsay; Jui‐Hsin Chang; Chia-Haur Chang; et al 出版日期：2024-05-12 |
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