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 Foundry Monolithic 3D Unlocks Large Throughput Benefits: 3D Memory with Tucked Sense Amplifiers + Logic using Heterogeneous Silicon CMOS + Resistive RAM + Carbon Nanotube FETs 相关领域
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期刊：2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：S. Choi; A. Raut; T. Wu; S. Dayo; A. Bechdolt; et al 出版日期：2025 |
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