| 标题 |
 Electronic properties and photo-gain of UV-C photodetectors based on high-resistivity orthorhombic κ-Ga2O3 epilayers 相关领域
光电探测器
材料科学
光电子学
紫外线
电子迁移率
电阻率和电导率
外延
正交晶系
载流子寿命
暗电流
饱和（图论）
光学
硅
物理
纳米技术
组合数学
量子力学
衍射
数学
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science and Engineering B 作者：Carmine Borelli; A. Bosio; A. Parisini; M. Pavesi; Salvatore Vantaggio; et al 出版日期：2022-10-12 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
zcl
浮游
Tourist
研究生end
昏睡的蟠桃
Criminology34
彭于彦祖
小青椒
tuanheqi
GingerF
不配.
eric888
嘻嘻哈哈
pcr163
Bio
寒江雪
Zx_1993
LaTeXer
Li
子车茗
BowieHuang
不倦
勤苦的牛马
小杭76
尉迟希望
无极微光
镓氧锌钇铀
sissiarno
皖公网安备34019202002308
