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标题
Double-Gate RESURF Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor With Built-In p-Channel MOSFET for Active Conductivity Modulation Control Throughout Drift Region
内置p沟道MOSFET的双栅RESURF横向绝缘栅双极晶体管，用于在整个漂移区进行有源电导率调制控制
相关领域
绝缘栅双极晶体管 MOSFET 电气工程 物理 拓扑（电路） 晶体管 光电子学 材料科学 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/led.2022.3140221
DOI
10.1109/led.2022.3140221 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Junjie Yang; Meng Zhang; Yanlin Wu; Maojun Wang; Jin Wei
出版日期：2022-01-04
求助人
尖尖 在 2025-12-09 19:21:06 发布自江西，悬赏 10 积分
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