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 TCAD leakage current analysis of a 45 nm MOSFET structure with a high-k dielectric 高k介质45 nm MOSFET结构的TCAD漏电流分析
相关领域
材料科学
跨导
光电子学
泄漏（经济）
栅氧化层
电介质
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量子隧道
MOSFET
随时间变化的栅氧化层击穿
阈值电压
饱和电流
高-κ电介质
负偏压温度不稳定性
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晶体管
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经济
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期刊：Russian Microelectronics 作者：Konstantin O. Petrosyants; Д. А. Попов; Lev M. Sambursky; I. A. Kharitonov 出版日期：2016-12-01 |
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