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Characterization of Interface Trap Density in SiC MOSFETs Subjected to High Voltage Gate Stress |
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期刊:2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者:S. R. Stein; J. Kim; S. Das; D. J. Lichtenwalner; S. Ryu 出版日期:2024-04-14 |
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(2025-6-4)