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专利、报告等 The Improvement of ASM GaN Model Applied to Multi-temperature Bias in AlGaN/GaN HEMT Devices |
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10.22541/au.169303156.64619871/v1
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期刊:Wiley 作者:Yue Lei; Tianxiang Shi; Yan Wang 出版日期:2023-08-26 |
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(2025-6-4)