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1.4-kV Irradiation-Hardened β-Ga₂O₃ Heterojunction Barrier Schottky Diode Under 10⁷ ions/cm² Fluence and 82.1 MeV⋅cm²/mg LET Environments |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Na Sun; Zhengliang Zhang; Feng Zhou; Tianqi Wang; Fang-Fang Ren; et al 出版日期:2025-03-25 |
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(2025-6-4)