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 High-Resistivity Substrates in 22-nm FD-SOI—Part I: Wideband Modeling and Impact on RF Losses 相关领域
绝缘体上的硅
电阻率和电导率
宽带
材料科学
光电子学
无线电频率
硅
电气工程
电子工程
工程类
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：M. Rack; D. Lederer; J.-P. Raskin 出版日期：2025-09-01 |
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