Reduction mechanisms for defect densities in GaN using one- or two-step epitaxial lateral overgrowth methods

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标题	Reduction mechanisms for defect densities in GaN using one- or two-step epitaxial lateral overgrowth methods
网址	https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/87/9/4175/19169722/...
DOI	10.1063/1.373048 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：P. Vennégués; B. Beaumont; V. Bousquet; M. Vaille; P. Gibart 出版日期：2000-04-28
求助人	lebronkd 在 2026-09-30 13:05:37 发布自美国，悬赏 10 积分
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