Strain relaxation process of undoped and Si-doped semipolar AlxGa1−xN grown on (202¯1) bulk GaN substrate

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标题	Strain relaxation process of undoped and Si-doped semipolar AlxGa1−xN grown on (202¯1) bulk GaN substrate
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125467
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2019.125467 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Roy B. Chung; Anand V. Sampath; Shuji Nakamura 出版日期：2020
求助人	CHENCHENG 在 2026-05-06 12:02:26 发布自河南，悬赏 10 积分
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