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 Exploration of Physicochemical Mechanism for Negative Bias Temperature Instability in GaN‐HEMTs by Extracting Activation Energy of Dislocations 相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
晶体管
可靠性（半导体）
光电子学
负偏压温度不稳定性
拉曼光谱
活化能
工程物理
化学物理
阈值电压
电气工程
功率（物理）
光学
化学
热力学
工程类
物理
电压
有机化学
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期刊：Advanced Materials Interfaces 作者：Kuan-Chang Chang; Wang Zhengda; Qian Zhou; Xinxin Zhang; Xinnan Lin; et al 出版日期：2022-07-28 |
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