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 Abnormal Dual Channel Formation Induced by Hydrogen Diffusion From SiNxInterlayer Dielectric in Top Gate a-InGaZnO Transistors 相关领域
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Guan-Fu Chen; Ting‐Chang Chang; Hua-Mao Chen; Bo‐Wei Chen; Hong-Chih Chen; et al 出版日期：2017-03-01 |
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