Bias‐stress‐induced stretched‐exponential time dependence of charge injection and trapping in amorphous thin‐film transistors

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标题	Bias‐stress‐induced stretched‐exponential time dependence of charge injection and trapping in amorphous thin‐film transistors 偏压应力诱导的非晶薄膜晶体管电荷注入和俘获的拉伸指数时间依赖性相关领域材料科学压力（语言学）无定形固体凝聚态物理非晶硅俘获光电子学阈值电压晶体管电介质拉伸指数函数薄膜晶体管应力松弛硅指数函数复合材料电压蠕动图层（电子）化学电气工程结晶学晶体硅物理哲学数学分析工程类生物语言学数学生态学
网址	https://doi.org/10.1063/1.108709
DOI	10.1063/1.108709 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Frank R. Libsch; Jerzy Kanicki 出版日期：1993-03-15
求助人	科研小菜鸡在 2025-09-05 13:41:49 发布自江苏，悬赏 10 积分
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