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 A highly efficient method to fabricate normally-off AlGaN/GaN HEMTs with low gate leakage via Mg diffusion Mg扩散制备低栅极泄漏常闭AlGaN/GaN HEMT的高效方法
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Li‐Jun Wan; Peiye Sun; Xinyao Liu; Dingbo Chen; Xianfeng Que; et al 出版日期：2020-01-13 |
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