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 Characterization and Analysis of Random Telegraph Noise in Scaled SiGe Channel HKMG pMOSFETs 标度SiGe沟道HKMG PMOSFET中随机电报噪声的表征与分析
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ch. L. N. Pavan; R. Divakaruni; Anjan Chakravorty; Deleep R. Nair 出版日期：2021-12-23 |
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