| 标题 |
 Chalcogen Vacancy Engineering in 1T-TiS₂, 1T-TiSe₂ and 1T-TiTe₂ Monolayers for Enhanced HER Activity: A DFT Study 相关领域
硫族元素
空位缺陷
密度泛函理论
材料科学
化学物理
氢
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化学
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物理化学
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带隙
费米能量
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| DOI |
10.56919/usci.2652.029
doi
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期刊：UMYU Scientifica 作者：Shamsuddeen Sani Alhassan; Mahmud Abdulsalam; Abdullahi Tanimu; Ibrahim Muhammad Bagudo 出版日期：2026-06-26 |
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