High Drive and Low Leakage Current MBC FET with Channel Thickness 1.2nm/0.6nm

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标题	High Drive and Low Leakage Current MBC FET with Channel Thickness 1.2nm/0.6nm
网址	https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371941
DOI	10.1109/iedm13553.2020.9371941 doi
其它	期刊：作者：Xiaohe Huang; Chunsen Liu; Zhaowu Tang; Senfeng Zeng; Liwei Liu; et al 出版日期：2020-12-12
求助人	li 在 2026-07-09 19:11:54 发布自北京，悬赏 10 积分
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