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 Ta2O5-based recessed-gate enhancement-mode GaN HEMT with exceptionally low gate leakage and high ION/IOFF ratio: Determination of performance window for recessed-gate architecture 相关领域
材料科学
光电子学
阈下传导
晶体管
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Mahalaxmi Patil; Subhajit Basak; Bhanu B. Upadhyay; Nashra Khalid; Anurag P. Chilwirwar; et al 出版日期：2026-09-07 |
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