A Dual-Si Atomic Precursor Enabling High-Quality SiN x Thin Films via Very High-Frequency Plasma Atomic Layer Deposition

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标题	A Dual-Si Atomic Precursor Enabling High-Quality SiN x Thin Films via Very High-Frequency Plasma Atomic Layer Deposition
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.6c00586
DOI	10.1021/acs.chemmater.6c00586 doi
其它	期刊：Chemistry of Materials 作者：Young-Jin Lim; Yujin Lee; Kim-Hue Thi Dinh; Min-Jeong Rhee; Yea-Ji Kim; et al 出版日期：2026-05-16
求助人	PQ 在 2026-09-16 10:52:27 发布自江西，悬赏 10 积分
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