p-type NiOx ultrathin film as highly efficient hole extraction layer in n-type PbS quantum dots based NIR photodiode

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标题	p-type NiOx ultrathin film as highly efficient hole extraction layer in n-type PbS quantum dots based NIR photodiode
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2023.108836
DOI	10.1016/j.sse.2023.108836 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：Louis David Mohgouk Zouknak; Mickael Gros-Jean; Serge Blonkowski; Charles Leroux; Gerard Ghibaudo 出版日期：2024-02-01
求助人	海盐在 2026-08-18 10:45:48 发布自江苏，悬赏 10 积分
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