Gated three-terminal device architecture to eliminate persistent photoconductivity in oxide semiconductor photosensor arrays

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标题	Gated three-terminal device architecture to eliminate persistent photoconductivity in oxide semiconductor photosensor arrays
网址	https://www.nature.com/articles/nmat3256.pdf
DOI	10.1038/nmat3256 doi
其它	期刊：Nature Materials 作者：S. Jeon; Seung‐Eon Ahn; I. Song; C. J. Kim; U. Chung; et al 出版日期：2012-04-01
求助人	朴实初兰在 2026-09-12 14:12:29 发布自上海，悬赏 10 积分
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