Low resistivity of Si-doped n -type Al0.68Ga0.32N on sapphire by two-step growth for high power electronics

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标题	Low resistivity of Si-doped n -type Al0.68Ga0.32N on sapphire by two-step growth for high power electronics
网址	https://doi.org/10.1063/5.0324707
DOI	10.1063/5.0324707 doi
其它	期刊：APL Electronic Devices 作者：A. Chatterjee; Z. Pehlivan; Martin Frentrup; S. A. Dar; G. Kusch; et al 出版日期：2026-04-17
求助人	ws 在 2026-08-15 14:10:18 发布自天津，悬赏 48 积分
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