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标题
Constructing drain surrounded double gate structure in AlGaN/GaN HEMT for boosting breakdown voltage
在AlGaN/GaN HEMT中构建漏极包围双栅结构以提高击穿电压
相关领域
高电子迁移率晶体管 光电子学 击穿电压 材料科学 排水诱导屏障降低 电压 栅极电压 阈值电压 电气工程 晶体管 工程类
网址
https://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2024/ra/d4ra03508...
AI链接 rsc.org rsc.org nih.gov nih.govdoi.org
DOI
10.1039/d4ra03508a doi
其它 期刊：RSC Advances
作者：Zehui Peng; H. H. Liu; Hao Yu; Lei Li; Kuan‐Chang Chang
出版日期：2024-01-01
求助人
bkagyin 在 2025-12-03 22:51:57 发布自河南，悬赏 10 积分
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