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 Achieving 1-nm-Scale Equivalent Oxide Thickness Top-Gate Dielectric on Monolayer Transition Metal Dichalcogenide Transistors With CMOS-Friendly Approaches 用CMOS友好的方法在单层过渡金属二硫族化物晶体管上实现1-nm尺度的等效氧化物厚度顶栅电介质
相关领域
材料科学
CMOS芯片
单层
电介质
光电子学
晶体管
过渡金属
氧化物
金属浇口
栅极电介质
栅氧化层
纳米技术
电气工程
冶金
化学
工程类
电压
生物化学
催化作用
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jung-Soo Ko; Alexander B. Shearer; Sol Lee; Kathryn M. Neilson; Marc Jaikissoon; et al 出版日期：2025-02-10 |
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