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  A Simulation Study of Carrier Capture Ability of the Last InGaN Quantum Well with Different Indium Content for Yellow-Light-Emitting InGaN/GaN Multiple Quantum Wells 不同铟含量InGaN/GaN多量子阱最后一个量子阱载流子俘获能力的模拟研究
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期刊：Micromachines 作者：Wei Liu; Zeyu Liu; Hengyan Zhao; Junjie Gao 出版日期：2023-08-26 |
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