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 Fractional order capacitance behavior due to hysteresis effect of ferroelectric material on GaN HEMT devices GaN HEMT器件中铁电材料磁滞效应引起的分数阶电容行为
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期刊：International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields 作者：Dariskhem Pyngrope; Shubhankar Majumdar; Giovanni Crupi 出版日期：2024 |
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